EI和C型磁芯到处产生高寄生电容，这些寄生电容

而使用环形，仅第一和最后的拐弯区域需要更多的绝缘。

EI和C型磁芯到处产生高寄生电容，这些寄生电容：

• 使线圈的电场环境恶化，
• 增加层与层之间的泄漏电流并且电线，
• 产生局部放电和电晕效应，
• 需要处处更加的绝缘，增加成本并降低冷却效率,
• 所有的这些都是老化因素，会损害绝缘系统和IGBT中的部件。

而使用环形结构，仅第一匝进线和最后一匝出线部分区域需要增加绝缘。

使用环形磁芯,只有少部分具有较高电压应力的绕组之间需要加强绝缘。而因为低寄生电容,是元件老化因素更少,从而提高了器件的可靠性。

可以通过使用我们的VPI系统（真空压力浸渍）来进一步加强可靠性。